Vishay Siliconix - SQJ204EP-T1_GE3

KEY Part #: K6525239

SQJ204EP-T1_GE3 Hinnoittelu (USD) [144991kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.25510

Osa numero:
SQJ204EP-T1_GE3
Valmistaja:
Vishay Siliconix
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET DUAL N-CH 12V PPAK SO-8L.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Diodit - Zener - Single, Tiristorit - TRIACit, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF and Transistorit - erityistarkoitus ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Siliconix SQJ204EP-T1_GE3 electronic components. SQJ204EP-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQJ204EP-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQJ204EP-T1_GE3 Tuoteominaisuudet

Osa numero : SQJ204EP-T1_GE3
Valmistaja : Vishay Siliconix
Kuvaus : MOSFET DUAL N-CH 12V PPAK SO-8L
Sarja : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Osan tila : Active
FET-tyyppi : 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET-ominaisuus : Standard
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 12V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 20A (Tc), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.3 mOhm @ 4A, 10V, 3 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V, 50nC @ 10V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 1400pF @ 6V, 3700pF @ 6V
Teho - Max : 27W (Tc), 48W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : PowerPAK® SO-8 Dual
Toimittajalaitteen paketti : PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric