Vishay Siliconix - SI7904BDN-T1-E3

KEY Part #: K6522086

SI7904BDN-T1-E3 Hinnoittelu (USD) [178816kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.20685
  • 3,000 pcs$0.17480

Osa numero:
SI7904BDN-T1-E3
Valmistaja:
Vishay Siliconix
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Tiristorit - SCR-moduulit, Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Tiristorit - SCR: t, Transistorit - JFET and Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Siliconix SI7904BDN-T1-E3 electronic components. SI7904BDN-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7904BDN-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7904BDN-T1-E3 Tuoteominaisuudet

Osa numero : SI7904BDN-T1-E3
Valmistaja : Vishay Siliconix
Kuvaus : MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8
Sarja : TrenchFET®
Osan tila : Active
FET-tyyppi : 2 N-Channel (Dual)
FET-ominaisuus : Logic Level Gate
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 20V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 30 mOhm @ 7.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 24nC @ 8V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 860pF @ 10V
Teho - Max : 17.8W
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : PowerPAK® 1212-8 Dual
Toimittajalaitteen paketti : PowerPAK® 1212-8 Dual