Osa numero :
IPN65R1K5CEATMA1
Valmistaja :
Infineon Technologies
tekniikka :
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
650V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
5.2A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.5 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
10.5nC @ 10V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
225pF @ 100V
Tehon hajautus (max) :
5W (Tc)
Käyttölämpötila :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi :
Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti :
PG-SOT223
Paketti / asia :
TO-261-3