Diodes Incorporated - DMJ70H1D0SV3

KEY Part #: K6392946

DMJ70H1D0SV3 Hinnoittelu (USD) [74050kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.52803

Osa numero:
DMJ70H1D0SV3
Valmistaja:
Diodes Incorporated
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO251.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Diodit - Zener - Single, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Transistorit - IGBT - moduulit, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays and Transistorit - JFET ...
Kilpailuetu:
We specialize in Diodes Incorporated DMJ70H1D0SV3 electronic components. DMJ70H1D0SV3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMJ70H1D0SV3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMJ70H1D0SV3 Tuoteominaisuudet

Osa numero : DMJ70H1D0SV3
Valmistaja : Diodes Incorporated
Kuvaus : MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO251
Sarja : -
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 700V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 6A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 12.8nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 420pF @ 50V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 104W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Through Hole
Toimittajalaitteen paketti : TO-251
Paketti / asia : TO-251-3 Stub Leads, IPak

Saatat myös olla kiinnostunut