IXYS - IXFT58N20Q TRL

KEY Part #: K6401290

[3102kpl varastossa]


    Osa numero:
    IXFT58N20Q TRL
    Valmistaja:
    IXYS
    Yksityiskohtainen kuvaus:
    MOSFET N-CH 200V 58A TO268.
    Valmistajan vakio läpimenoaika:
    Varastossa
    Kestoaika:
    Yksi vuosi
    Chip From:
    Hongkong
    RoHS:
    Maksutapa:
    Lähetyksen tapa:
    Perheluokat:
    KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Tiristorit - SCR: t, Tiristorit - DIAC, SIDAC, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt and Diodit - RF ...
    Kilpailuetu:
    We specialize in IXYS IXFT58N20Q TRL electronic components. IXFT58N20Q TRL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFT58N20Q TRL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IXFT58N20Q TRL Tuoteominaisuudet

    Osa numero : IXFT58N20Q TRL
    Valmistaja : IXYS
    Kuvaus : MOSFET N-CH 200V 58A TO268
    Sarja : HiPerFET™
    Osan tila : Obsolete
    FET-tyyppi : N-Channel
    tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
    Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 200V
    Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 58A (Tc)
    Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 40 mOhm @ 29A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 4mA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 140nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 3600pF @ 25V
    FET-ominaisuus : -
    Tehon hajautus (max) : 300W (Tc)
    Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Asennustyyppi : Surface Mount
    Toimittajalaitteen paketti : TO-268 (IXFT)
    Paketti / asia : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

    Saatat myös olla kiinnostunut
    • LND150N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3.

    • DN2530N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 300V 0.175A TO92-3.

    • IRFIBC30GPBF

      Vishay Siliconix

      MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220FP.

    • TPC8048-H(TE12L,Q)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 60V 16A 8-SOP.

    • SI4628DY-T1-GE3

      Vishay Siliconix

      MOSFET N-CH 30V 38A 8SOIC.

    • IRF720SPBF

      Vishay Siliconix

      MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK.