Infineon Technologies - BSP372 E6327

KEY Part #: K6409957

[102kpl varastossa]


    Osa numero:
    BSP372 E6327
    Valmistaja:
    Infineon Technologies
    Yksityiskohtainen kuvaus:
    MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223.
    Valmistajan vakio läpimenoaika:
    Varastossa
    Kestoaika:
    Yksi vuosi
    Chip From:
    Hongkong
    RoHS:
    Maksutapa:
    Lähetyksen tapa:
    Perheluokat:
    KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Tiristorit - TRIACit, Tiristorit - SCR: t, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Tiristorit - DIAC, SIDAC, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Transistorit - JFET and Tiristorit - SCR-moduulit ...
    Kilpailuetu:
    We specialize in Infineon Technologies BSP372 E6327 electronic components. BSP372 E6327 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSP372 E6327, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BSP372 E6327 Tuoteominaisuudet

    Osa numero : BSP372 E6327
    Valmistaja : Infineon Technologies
    Kuvaus : MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
    Sarja : SIPMOS®
    Osan tila : Obsolete
    FET-tyyppi : N-Channel
    tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
    Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 100V
    Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 1.7A (Ta)
    Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 310 mOhm @ 1.7A, 5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -
    Vgs (Max) : ±14V
    Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 520pF @ 25V
    FET-ominaisuus : -
    Tehon hajautus (max) : 1.8W (Ta)
    Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Asennustyyppi : Surface Mount
    Toimittajalaitteen paketti : PG-SOT223-4
    Paketti / asia : TO-261-4, TO-261AA

    Saatat myös olla kiinnostunut
    • FDD6670AS

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 30V 76A DPAK.

    • FDD8586

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 20V 35A DPAK.

    • FDD8580

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 20V 35A DPAK.

    • FCD4N60TF

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK.

    • 2SK2231(TE16R1,NQ)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD.

    • BSS84P E6433

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23.