Osa numero :
SIR838DP-T1-GE3
Valmistaja :
Vishay Siliconix
Kuvaus :
MOSFET N-CH 150V 35A PPAK SO-8
tekniikka :
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
150V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
35A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
33 mOhm @ 8.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
50nC @ 10V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
2075pF @ 75V
Tehon hajautus (max) :
5.4W (Ta), 96W (Tc)
Käyttölämpötila :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi :
Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti :
PowerPAK® SO-8
Paketti / asia :
PowerPAK® SO-8