Infineon Technologies - IPB60R099P7ATMA1

KEY Part #: K6417632

IPB60R099P7ATMA1 Hinnoittelu (USD) [36707kpl varastossa]

  • 1 pcs$1.06523

Osa numero:
IPB60R099P7ATMA1
Valmistaja:
Infineon Technologies
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH TO263-3.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Transistorit - IGBT - moduulit, Transistorit - erityistarkoitus, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen and Tiristorit - SCR-moduulit ...
Kilpailuetu:
We specialize in Infineon Technologies IPB60R099P7ATMA1 electronic components. IPB60R099P7ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB60R099P7ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB60R099P7ATMA1 Tuoteominaisuudet

Osa numero : IPB60R099P7ATMA1
Valmistaja : Infineon Technologies
Kuvaus : MOSFET N-CH TO263-3
Sarja : CoolMOS™ P7
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 650V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 31A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 99 mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 530µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 45nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 1952pF @ 400V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 117W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti : D²PAK (TO-263AB)
Paketti / asia : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Saatat myös olla kiinnostunut