Kuvaus :
GANFET N-CH 650V 50A TO247
Osan tila :
Not For New Designs
tekniikka :
GaNFET (Gallium Nitride)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
650V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
50A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
41 mOhm @ 32A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.65V @ 700µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
42nC @ 8V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
2197pF @ 400V
Tehon hajautus (max) :
178W (Tc)
Käyttölämpötila :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi :
Through Hole
Toimittajalaitteen paketti :
TO-247-3
Paketti / asia :
TO-247-3