Kuvaus :
MOSFET N-CH 500V 800MA D2PAK
tekniikka :
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
500V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
800mA (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.6 Ohm @ 400mA, 0V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
12.7nC @ 5V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
312pF @ 25V
FET-ominaisuus :
Depletion Mode
Tehon hajautus (max) :
60W (Tc)
Käyttölämpötila :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi :
Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti :
TO-263 (IXTA)
Paketti / asia :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB