Osa numero :
TK11A65W,S5X
Valmistaja :
Toshiba Semiconductor and Storage
Kuvaus :
MOSFET N-CH 650V 11.1A TO-220
tekniikka :
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
650V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
11.1A (Ta)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
390 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 450µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
25nC @ 10V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
890pF @ 300V
Tehon hajautus (max) :
35W (Tc)
Käyttölämpötila :
150°C (TJ)
Asennustyyppi :
Through Hole
Toimittajalaitteen paketti :
TO-220SIS
Paketti / asia :
TO-220-3 Full Pack