Vishay Siliconix - SI2343DS-T1-E3

KEY Part #: K6417537

SI2343DS-T1-E3 Hinnoittelu (USD) [391925kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.09437
  • 3,000 pcs$0.08025

Osa numero:
SI2343DS-T1-E3
Valmistaja:
Vishay Siliconix
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - Zener - Arrays, Tiristorit - TRIACit, Transistorit - IGBT - Arrays, Transistorit - IGBT - moduulit, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Transistorit - JFET and Tiristorit - SCR-moduulit ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Siliconix SI2343DS-T1-E3 electronic components. SI2343DS-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI2343DS-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI2343DS-T1-E3 Tuoteominaisuudet

Osa numero : SI2343DS-T1-E3
Valmistaja : Vishay Siliconix
Kuvaus : MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3
Sarja : TrenchFET®
Osan tila : Active
FET-tyyppi : P-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 30V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 3.1A (Ta)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 53 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 21nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 540pF @ 15V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 750mW (Ta)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti : SOT-23-3 (TO-236)
Paketti / asia : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Saatat myös olla kiinnostunut