Valmistaja :
Toshiba Semiconductor and Storage
Kuvaus :
MOSFET N-CH 600V 6A TO-220AB
tekniikka :
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
600V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
6A (Ta)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.25 Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
30nC @ 10V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
1300pF @ 10V
Tehon hajautus (max) :
80W (Tc)
Käyttölämpötila :
150°C (TJ)
Asennustyyppi :
Through Hole
Toimittajalaitteen paketti :
TO-220AB
Paketti / asia :
TO-220-3