IXYS - IXFN120N25

KEY Part #: K6402714

IXFN120N25 Hinnoittelu (USD) [3250kpl varastossa]

  • 1 pcs$14.06441
  • 10 pcs$13.99444

Osa numero:
IXFN120N25
Valmistaja:
IXYS
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227B.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - erityistarkoitus, Diodit - Zener - Single, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij ...
Kilpailuetu:
We specialize in IXYS IXFN120N25 electronic components. IXFN120N25 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFN120N25, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFN120N25 Tuoteominaisuudet

Osa numero : IXFN120N25
Valmistaja : IXYS
Kuvaus : MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227B
Sarja : -
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 250V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 120A
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : -
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : -
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : -
Käyttölämpötila : -
Asennustyyppi : Chassis Mount
Toimittajalaitteen paketti : SOT-227B
Paketti / asia : SOT-227-4, miniBLOC

Saatat myös olla kiinnostunut
  • BS170PSTOB

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3.

  • DN2540N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 400V 0.12A TO92-3.

  • GP1M008A050CG

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 500V 8A DPAK.

  • GP1M007A065CG

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 650V 6.5A DPAK.

  • GP1M003A090C

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK.

  • GP1M003A080CH

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 800V 3A DPAK.