Valmistaja :
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Kuvaus :
MOSFET 2N-CH 30V 19A/31A
FET-tyyppi :
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET-ominaisuus :
Logic Level Gate
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
30V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
19A, 31A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
13nC @ 10V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
820pF @ 15V
Käyttölämpötila :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi :
Surface Mount
Paketti / asia :
8-PowerWDFN
Toimittajalaitteen paketti :
8-DFN-EP (5x6)