Osa numero :
SI4178DY-T1-GE3
Valmistaja :
Vishay Siliconix
Kuvaus :
MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC
tekniikka :
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
30V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
12A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
21 mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
12nC @ 10V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
405pF @ 15V
Tehon hajautus (max) :
2.4W (Ta), 5W (Tc)
Käyttölämpötila :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi :
Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti :
8-SO
Paketti / asia :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)