NXP USA Inc. - PSMN1R9-25YLC,115

KEY Part #: K6405861

[1519kpl varastossa]


    Osa numero:
    PSMN1R9-25YLC,115
    Valmistaja:
    NXP USA Inc.
    Yksityiskohtainen kuvaus:
    MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK.
    Valmistajan vakio läpimenoaika:
    Varastossa
    Kestoaika:
    Yksi vuosi
    Chip From:
    Hongkong
    RoHS:
    Maksutapa:
    Lähetyksen tapa:
    Perheluokat:
    KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Transistorit - JFET, Transistorit - IGBT - moduulit, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single and Diodit - sillan tasasuuntaajat ...
    Kilpailuetu:
    We specialize in NXP USA Inc. PSMN1R9-25YLC,115 electronic components. PSMN1R9-25YLC,115 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PSMN1R9-25YLC,115, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    PSMN1R9-25YLC,115 Tuoteominaisuudet

    Osa numero : PSMN1R9-25YLC,115
    Valmistaja : NXP USA Inc.
    Kuvaus : MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
    Sarja : -
    Osan tila : Obsolete
    FET-tyyppi : N-Channel
    tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
    Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 25V
    Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 100A (Tc)
    Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.05 mOhm @ 25A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1.95V @ 1mA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 57nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 3504pF @ 12V
    FET-ominaisuus : -
    Tehon hajautus (max) : 141W (Tc)
    Käyttölämpötila : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Asennustyyppi : Surface Mount
    Toimittajalaitteen paketti : LFPAK56, Power-SO8
    Paketti / asia : SC-100, SOT-669