Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Koti
  2. Tuotteet
  3. Diskreetti puolijohdetuotteet
  4. Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset
  5. 1N6629US

Microsemi Corporation - 1N6629US

KEY Part #: K6444273

[2506kpl varastossa]

    Osa numero:
    1N6629US
    Valmistaja:
    Microsemi Corporation
    Yksityiskohtainen kuvaus:
    DIODE GEN PURP 880V 1.4A A-MELF.
    Valmistajan vakio läpimenoaika:
    Varastossa
    Kestoaika:
    Yksi vuosi
    Chip From:
    Hongkong
    RoHS:
    Maksutapa:
    Lähetyksen tapa:
    Perheluokat:
    KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Tiristorit - DIAC, SIDAC, Transistorit - erityistarkoitus, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Transistorit - IGBT - moduulit, Diodit - RF, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij and Tiristorit - SCR: t ...
    Kilpailuetu:
    We specialize in Microsemi Corporation 1N6629US electronic components. 1N6629US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N6629US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    1N6629US Tuoteominaisuudet

    Osa numero : 1N6629US
    Valmistaja : Microsemi Corporation
    Kuvaus : DIODE GEN PURP 880V 1.4A A-MELF
    Sarja : -
    Osan tila : Discontinued at Digi-Key
    Diodin tyyppi : Standard
    Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 880V
    Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 1.4A
    Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 1.4V @ 1.4A
    Nopeus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Käänteinen palautumisaika (trr) : 50ns
    Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 2µA @ 880V
    Kapasitanssi @ Vr, F : 40pF @ 10V, 1MHz
    Asennustyyppi : Surface Mount
    Paketti / asia : SQ-MELF, A
    Toimittajalaitteen paketti : A-MELF
    Käyttölämpötila - liitos : -65°C ~ 150°C

    Uusimmat uutiset

    Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
    Saatat myös olla kiinnostunut
    • DB3Y313KEL

      Panasonic Electronic Components

      DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3.

    • VS-8EWS12STRPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1.2KV 8A DPAK.

    • SCS120KGC

      Rohm Semiconductor

      DIODE SCHOTTKY 1.2KV 20A TO220AC. Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Barrier Diodes Mounting

    • SCS220KGHRC

      Rohm Semiconductor

      DIODE SCHOTTKY 1200V 20A TO220-2. Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 20A SiC SBD AEC-Q101 Qualified

    • RFUS10TF4S

      Rohm Semiconductor

      DIODE GEN PURP 430V 10A TO220NFM. Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODE SWITCH 600V 10A 3PIN 3+TAB

    • LSIC2SD120E30CC

      Littelfuse Inc.

      SCHOTTKY DIODE SIC 1200V 30A. Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 30A TO-247-3L SiC Schottky Diode

    Kuumat osat