Winbond Electronics - W9812G6JB-6I

KEY Part #: K940245

Yksityiskohtainen kuvaus:: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA. DRAM 128M SDR SDRAM x16, 166MHz, Ind temp

Perheluokat:: KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Lineaariset - komparaattorit, Logic - Universal Bus Functions, PMIC - Valvojat, PMIC - Voltage Regulators - Linear + Switching, Lineaarinen - videon käsittely, Embedded - FPGA (Field Programmable Gate Array) ja, Liitäntä - enkooderit, dekooderit, muuntimet and PMIC - Hot Swap -ohjaimet ...

Kilpailuetu:: We specialize in Winbond Electronics W9812G6JB-6I electronic components. W9812G6JB-6I can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for W9812G6JB-6I, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Osa numero : W9812G6JB-6I

Valmistaja : Winbond Electronics

Kuvaus : IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Sarja : -

Osan tila : Active

Muistityyppi : Volatile

Muistimuoto : DRAM

tekniikka : SDRAM

Muistin koko : 128Mb (8M x 16)

Kellotaajuus : 166MHz

Kirjoita työkierron aika - sana, sivu : -

Kirjautumisaika : 5ns

Muistiliitäntä : Parallel

Jännite - syöttö : 3V ~ 3.6V

Käyttölämpötila : -40°C ~ 85°C (TA)

Asennustyyppi : Surface Mount

Paketti / asia : 54-TFBGA

Toimittajalaitteen paketti : 54-TFBGA (8x8)

Saatat myös olla kiinnostunut

CY7C199D-25SXET

Cypress Semiconductor Corp

IC SRAM 256K PARALLEL 28SOIC. SRAM 256 KB, 5.50 V 25 ns Async Fast SRAMs
W94AD2KBJX5E TR

Winbond Electronics

IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz T&R
W632GG8MB-15

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ. DRAM 2G DDR3 SDRAM, x8, 667MHz
W632GG8MB-11

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ. DRAM 2G DDR3 SDRAM, x8, 933MHz
W632GU8MB-15

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ. DRAM 2G DDR3L 1.35V SDRAM, x8, 667MHz
W632GU8MB-12

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ. DRAM 2G DDR3L 1.35V SDRAM, x8, 800MHz,