Winbond Electronics - W632GU8MB-12

KEY Part #: K940229

Yksityiskohtainen kuvaus:: IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ. DRAM 2G DDR3L 1.35V SDRAM, x8, 800MHz,

Perheluokat:: KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Liitäntä - moduulit, Logiikka - FIFOs-muisti, Liitäntä - Signaalin puskurit, toistimet, jakajat, PMIC - Valaistus, liitäntälaitteet, PMIC - Voltage Regulators - DC DC-kytkentäsäätimet, Liitäntä - enkooderit, dekooderit, muuntimet, Lineaarinen - videon käsittely and Liitäntä - Signaaliterminaattorit ...

Kilpailuetu:: We specialize in Winbond Electronics W632GU8MB-12 electronic components. W632GU8MB-12 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for W632GU8MB-12, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Osa numero : W632GU8MB-12

Valmistaja : Winbond Electronics

Kuvaus : IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ

Sarja : -

Osan tila : Active

Muistityyppi : Volatile

Muistimuoto : DRAM

tekniikka : SDRAM - DDR3

Muistin koko : 2Gb (128M x 16)

Kellotaajuus : 800MHz

Kirjoita työkierron aika - sana, sivu : -

Kirjautumisaika : 20ns

Muistiliitäntä : Parallel

Jännite - syöttö : 1.283V ~ 1.45V

Käyttölämpötila : 0°C ~ 95°C (TC)

Asennustyyppi : Surface Mount

Paketti / asia : 78-VFBGA

Toimittajalaitteen paketti : 78-VFBGA (8x10.5)

Saatat myös olla kiinnostunut

CY7C199D-25SXET

Cypress Semiconductor Corp

IC SRAM 256K PARALLEL 28SOIC. SRAM 256 KB, 5.50 V 25 ns Async Fast SRAMs
W94AD2KBJX5I TR

Winbond Electronics

IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp T&R
W94AD2KBJX5E TR

Winbond Electronics

IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz T&R
W632GG8MB-15

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ. DRAM 2G DDR3 SDRAM, x8, 667MHz
W632GG8MB-11

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ. DRAM 2G DDR3 SDRAM, x8, 933MHz
W632GU8MB-15

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ. DRAM 2G DDR3L 1.35V SDRAM, x8, 667MHz