Osa numero :
ZXMN3G32DN8TA
Valmistaja :
Diodes Incorporated
Kuvaus :
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
FET-tyyppi :
2 N-Channel (Dual)
FET-ominaisuus :
Logic Level Gate
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
30V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
5.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
28 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
10.5nC @ 10V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
472pF @ 15V
Käyttölämpötila :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi :
Surface Mount
Paketti / asia :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Toimittajalaitteen paketti :
8-SO