Osa numero :
SI7909DN-T1-GE3
Valmistaja :
Vishay Siliconix
Kuvaus :
MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8
FET-tyyppi :
2 P-Channel (Dual)
FET-ominaisuus :
Logic Level Gate
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
12V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
5.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
37 mOhm @ 7.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 700µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
24nC @ 4.5V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Käyttölämpötila :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi :
Surface Mount
Paketti / asia :
PowerPAK® 1212-8 Dual
Toimittajalaitteen paketti :
PowerPAK® 1212-8 Dual