Vishay Siliconix - SI7909DN-T1-GE3

KEY Part #: K6523971

[3987kpl varastossa]


    Osa numero:
    SI7909DN-T1-GE3
    Valmistaja:
    Vishay Siliconix
    Yksityiskohtainen kuvaus:
    MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8.
    Valmistajan vakio läpimenoaika:
    Varastossa
    Kestoaika:
    Yksi vuosi
    Chip From:
    Hongkong
    RoHS:
    Maksutapa:
    Lähetyksen tapa:
    Perheluokat:
    KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Diodit - RF, Tiristorit - SCR: t, Diodit - Zener - Single, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var and Diodit - sillan tasasuuntaajat ...
    Kilpailuetu:
    We specialize in Vishay Siliconix SI7909DN-T1-GE3 electronic components. SI7909DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7909DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI7909DN-T1-GE3 Tuoteominaisuudet

    Osa numero : SI7909DN-T1-GE3
    Valmistaja : Vishay Siliconix
    Kuvaus : MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8
    Sarja : TrenchFET®
    Osan tila : Obsolete
    FET-tyyppi : 2 P-Channel (Dual)
    FET-ominaisuus : Logic Level Gate
    Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 12V
    Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 5.3A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 37 mOhm @ 7.7A, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 700µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 24nC @ 4.5V
    Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : -
    Teho - Max : 1.3W
    Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Asennustyyppi : Surface Mount
    Paketti / asia : PowerPAK® 1212-8 Dual
    Toimittajalaitteen paketti : PowerPAK® 1212-8 Dual