Vishay Siliconix - SIHG065N60E-GE3

KEY Part #: K6416065

SIHG065N60E-GE3 Hinnoittelu (USD) [11502kpl varastossa]

  • 1 pcs$3.58289

Osa numero:
SIHG065N60E-GE3
Valmistaja:
Vishay Siliconix
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET E SERIES 600V TO247AC.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - JFET, Diodit - Zener - Single, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Transistorit - IGBT - moduulit and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Siliconix SIHG065N60E-GE3 electronic components. SIHG065N60E-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHG065N60E-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHG065N60E-GE3 Tuoteominaisuudet

Osa numero : SIHG065N60E-GE3
Valmistaja : Vishay Siliconix
Kuvaus : MOSFET E SERIES 600V TO247AC
Sarja : E
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 600V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 40A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 65 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 74nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 2700pF @ 100V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 250W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Through Hole
Toimittajalaitteen paketti : TO-247AC
Paketti / asia : TO-247-3

Saatat myös olla kiinnostunut
  • IRF5803TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP.

  • ZVNL110A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

  • VN10LP

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • IRLR2905TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

  • IRLR2703TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 23A DPAK.

  • IRFR024NTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.