Vishay Siliconix - SI4501ADY-T1-GE3

KEY Part #: K6524093

[3947kpl varastossa]


    Osa numero:
    SI4501ADY-T1-GE3
    Valmistaja:
    Vishay Siliconix
    Yksityiskohtainen kuvaus:
    MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC.
    Valmistajan vakio läpimenoaika:
    Varastossa
    Kestoaika:
    Yksi vuosi
    Chip From:
    Hongkong
    RoHS:
    Maksutapa:
    Lähetyksen tapa:
    Perheluokat:
    KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Tiristorit - DIAC, SIDAC, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Tehonohjaimen moduulit, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt ...
    Kilpailuetu:
    We specialize in Vishay Siliconix SI4501ADY-T1-GE3 electronic components. SI4501ADY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4501ADY-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI4501ADY-T1-GE3 Tuoteominaisuudet

    Osa numero : SI4501ADY-T1-GE3
    Valmistaja : Vishay Siliconix
    Kuvaus : MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC
    Sarja : TrenchFET®
    Osan tila : Obsolete
    FET-tyyppi : N and P-Channel, Common Drain
    FET-ominaisuus : Logic Level Gate
    Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 30V, 8V
    Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 6.3A, 4.1A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18 mOhm @ 8.8A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1.8V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 5V
    Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : -
    Teho - Max : 1.3W
    Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Asennustyyppi : Surface Mount
    Paketti / asia : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Toimittajalaitteen paketti : 8-SO

    Saatat myös olla kiinnostunut