Vishay Siliconix - SI5513DC-T1-E3

KEY Part #: K6524411

[3841kpl varastossa]


    Osa numero:
    SI5513DC-T1-E3
    Valmistaja:
    Vishay Siliconix
    Yksityiskohtainen kuvaus:
    MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8.
    Valmistajan vakio läpimenoaika:
    Varastossa
    Kestoaika:
    Yksi vuosi
    Chip From:
    Hongkong
    RoHS:
    Maksutapa:
    Lähetyksen tapa:
    Perheluokat:
    KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Tiristorit - SCR: t, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Transistorit - IGBT - moduulit and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij ...
    Kilpailuetu:
    We specialize in Vishay Siliconix SI5513DC-T1-E3 electronic components. SI5513DC-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI5513DC-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI5513DC-T1-E3 Tuoteominaisuudet

    Osa numero : SI5513DC-T1-E3
    Valmistaja : Vishay Siliconix
    Kuvaus : MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8
    Sarja : TrenchFET®
    Osan tila : Obsolete
    FET-tyyppi : N and P-Channel
    FET-ominaisuus : Logic Level Gate
    Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 20V
    Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 3.1A, 2.1A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 75 mOhm @ 3.1A, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 6nC @ 4.5V
    Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : -
    Teho - Max : 1.1W
    Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Asennustyyppi : Surface Mount
    Paketti / asia : 8-SMD, Flat Lead
    Toimittajalaitteen paketti : 1206-8 ChipFET™