Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Koti
  2. Tuotteet
  3. Diskreetti puolijohdetuotteet
  4. Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays
  5. APTM100H80FT1G

Microsemi Corporation - APTM100H80FT1G

KEY Part #: K6524319

[3872kpl varastossa]

    Osa numero:
    APTM100H80FT1G
    Valmistaja:
    Microsemi Corporation
    Yksityiskohtainen kuvaus:
    MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1.
    Valmistajan vakio läpimenoaika:
    Varastossa
    Kestoaika:
    Yksi vuosi
    Chip From:
    Hongkong
    RoHS:
    Maksutapa:
    Lähetyksen tapa:
    Perheluokat:
    KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Diodit - Zener - Single, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single and Tiristorit - SCR-moduulit ...
    Kilpailuetu:
    We specialize in Microsemi Corporation APTM100H80FT1G electronic components. APTM100H80FT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM100H80FT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    APTM100H80FT1G Tuoteominaisuudet

    Osa numero : APTM100H80FT1G
    Valmistaja : Microsemi Corporation
    Kuvaus : MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1
    Sarja : -
    Osan tila : Obsolete
    FET-tyyppi : 4 N-Channel (H-Bridge)
    FET-ominaisuus : Standard
    Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 1000V (1kV)
    Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 11A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 960 mOhm @ 9A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 150nC @ 10V
    Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 3876pF @ 25V
    Teho - Max : 208W
    Käyttölämpötila : -40°C ~ 150°C (TJ)
    Asennustyyppi : Chassis Mount
    Paketti / asia : SP1
    Toimittajalaitteen paketti : SP1

    Uusimmat uutiset

    Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
    Saatat myös olla kiinnostunut
    • FDY2001PZ

      ON Semiconductor

      MOSFET 2P-CH 20V 0.15A SOT-563F.

    • FDY3001NZ

      ON Semiconductor

      MOSFET 2N-CH 20V 0.2A SOT-563F.

    • IRF7507PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N/P-CH DUAL 20V MICRO-8.

    • SI6993DQ-T1-E3

      Vishay Siliconix

      MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8TSSOP.

    • SI6981DQ-T1-E3

      Vishay Siliconix

      MOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8-TSSOP.

    • SI6983DQ-T1-E3

      Vishay Siliconix

      MOSFET 2P-CH 20V 4.6A 8TSSOP.

    Kuumat osat