Vishay Siliconix - SQ4920EY-T1_GE3

KEY Part #: K6525178

SQ4920EY-T1_GE3 Hinnoittelu (USD) [109266kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.33851
  • 2,500 pcs$0.29601

Osa numero:
SQ4920EY-T1_GE3
Valmistaja:
Vishay Siliconix
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Transistorit - erityistarkoitus, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Tiristorit - SCR-moduulit, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF and Tehonohjaimen moduulit ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Siliconix SQ4920EY-T1_GE3 electronic components. SQ4920EY-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQ4920EY-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQ4920EY-T1_GE3 Tuoteominaisuudet

Osa numero : SQ4920EY-T1_GE3
Valmistaja : Vishay Siliconix
Kuvaus : MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO
Sarja : TrenchFET®
Osan tila : Active
FET-tyyppi : 2 N-Channel (Dual)
FET-ominaisuus : Logic Level Gate
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 30V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14.5 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 30nC @ 10V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 1465pF @ 15V
Teho - Max : 4.4W
Käyttölämpötila : -55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Toimittajalaitteen paketti : 8-SO

Saatat myös olla kiinnostunut
  • SI1926DL-T1-E3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC-70-6.

  • FDY1002PZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.83A SC89-6.

  • IRF7509TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8.

  • SI6913DQ-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8-TSSOP.

  • DMN2016UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP.

  • SP8J5TB

    Rohm Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 30V 7A 8-SOIC.