Osa numero :
GP1M006A065F
Valmistaja :
Global Power Technologies Group
Kuvaus :
MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220F
tekniikka :
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
650V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
5.5A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.6 Ohm @ 2.75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
17nC @ 10V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
1177pF @ 25V
Tehon hajautus (max) :
39W (Tc)
Käyttölämpötila :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi :
Through Hole
Toimittajalaitteen paketti :
TO-220F
Paketti / asia :
TO-220-3 Full Pack