Vishay Semiconductor Diodes Division - SE30AFGHM3/6B

KEY Part #: K6457981

SE30AFGHM3/6B Hinnoittelu (USD) [788477kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.04950
  • 14,000 pcs$0.04926

Osa numero:
SE30AFGHM3/6B
Valmistaja:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE GEN PURP 400V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3 Amp 400 volts ESD PROTECTION 13in
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - sillan tasasuuntaajat, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Tiristorit - TRIACit, Diodit - Zener - Arrays, Tehonohjaimen moduulit, Tiristorit - SCR: t and Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division SE30AFGHM3/6B electronic components. SE30AFGHM3/6B can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SE30AFGHM3/6B, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SE30AFGHM3/6B Tuoteominaisuudet

Osa numero : SE30AFGHM3/6B
Valmistaja : Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus : DIODE GEN PURP 400V 1.4A DO221AC
Sarja : Automotive, AEC-Q101
Osan tila : Active
Diodin tyyppi : Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 400V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 1.4A (DC)
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 3A
Nopeus : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : 1.5µs
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 10µA @ 400V
Kapasitanssi @ Vr, F : 19pF @ 4V, 1MHz
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : DO-221AC, SMA Flat Leads
Toimittajalaitteen paketti : DO-221AC
Käyttölämpötila - liitos : -55°C ~ 175°C

Saatat myös olla kiinnostunut
  • BYM07-200-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Rectifiers 0.5 Amp 200 Volt

  • BYM07-100-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 0.5 Amp 100 Volt

  • GL34G-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 400 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34B-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 100 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34J-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Rectifiers 600 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • BYM07-150HE3_A/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213. Rectifiers 0.5A,150V,50NS GL34 AEC-Q101 Qualified