GL34J-E3/98 Hinnoittelu (USD) [745784kpl varastossa]
- 1 pcs$0.05234
- 2,500 pcs$0.05208
- 5,000 pcs$0.04892
- 12,500 pcs$0.04576
- 25,000 pcs$0.04208
- Osa numero:
- GL34J-E3/98
- Valmistaja:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Yksityiskohtainen kuvaus:
- DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Rectifiers 600 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM
- Valmistajan vakio läpimenoaika:
- Varastossa
- Kestoaika:
- Yksi vuosi
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Maksutapa:
-
- Lähetyksen tapa:
- Perheluokat:
- KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - IGBT - Arrays, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Diodit - Zener - Single, Diodit - RF, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Transistorit - JFET, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single and Transistorit - IGBT - Yksittäiset ...
- Kilpailuetu:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division GL34J-E3/98 electronic components. GL34J-E3/98 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GL34J-E3/98, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
GL34J-E3/98 Tuoteominaisuudet
Osa numero :
GL34J-E3/98
Valmistaja :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus :
DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213
Sarja :
SUPERECTIFIER®
Osan tila :
Active
Diodin tyyppi :
Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
600V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
500mA
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
1.3V @ 500mA
Nopeus :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) :
1.5µs
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
5µA @ 600V
Kapasitanssi @ Vr, F :
4pF @ 4V, 1MHz
Asennustyyppi :
Surface Mount
Paketti / asia :
DO-213AA (Glass)
Toimittajalaitteen paketti :
DO-213AA (GL34)
Käyttölämpötila - liitos :
-65°C ~ 175°C
Uusimmat uutiset
Saatat myös olla kiinnostunut
-
RGL34B-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
-
RGL34D-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
-
RGL34B-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
-
RGL34J-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 600 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM
-
BYM07-200-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Rectifiers 0.5 Amp 200 Volt
-
BYM07-100-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 0.5 Amp 100 Volt
Kuumat osat
- BAS16J/ZLF
- R7004203XXUA
- 1N4148 BK
- MBRH30040L
- VS-8ETX06STRLPBF
- 1N3292B
- V20100SHM3/4W
- RGP10D-M3/54
- RGP02-20E-M3/54
- RGP10AHM3/73
- SSB44HE3/52T
- RK 39
- CD214B-B230LF
- CD214B-B120LF
- CD214A-B220LF
- CDBMH2100-HF
- 1N3900R
- NSR05F30NRT5G
- UG5JT-E3/45
- FES16ATHE3/45
- DTV32F-E3/45
- 1N5401-AP
- SS3P6LHM3/86A
- SS2H9HE3/5BT
- S4PGHM3/87A
- 1N4002_NL
- UG2003-T
- SIDC32D170HX1SA3
- SIDC09D60E6YX1SA1
- JANTX1N6623
- STTA106U
- 1N5404RL
- MA2778400L
- IRKE166/14
- IRD3910R
- FR505-TP
- SE20DBHM3/I
- ES3B-M3/57T
- MUR315S M6G
- ES2A-M3/52T