Infineon Technologies - FP25R12W2T4B11BOMA1

KEY Part #: K6532639

FP25R12W2T4B11BOMA1 Hinnoittelu (USD) [1799kpl varastossa]

  • 1 pcs$24.07307

Osa numero:
FP25R12W2T4B11BOMA1
Valmistaja:
Infineon Technologies
Yksityiskohtainen kuvaus:
IGBT MODULE 1200V 25A.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Diodit - RF, Tiristorit - SCR: t, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Diodit - Zener - Single and Diodit - Zener - Arrays ...
Kilpailuetu:
We specialize in Infineon Technologies FP25R12W2T4B11BOMA1 electronic components. FP25R12W2T4B11BOMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FP25R12W2T4B11BOMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FP25R12W2T4B11BOMA1 Tuoteominaisuudet

Osa numero : FP25R12W2T4B11BOMA1
Valmistaja : Infineon Technologies
Kuvaus : IGBT MODULE 1200V 25A
Sarja : -
Osan tila : Active
IGBT-tyyppi : Trench Field Stop
kokoonpano : Three Phase Inverter
Jännite - keräilijän jakajan jakauma (max) : 1200V
Nykyinen - keräilijä (Ic) (max) : 39A
Teho - Max : 175W
Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic : 2.25V @ 15V, 25A
Nykyinen - Keräilijän katkaisu (max) : 1mA
Syöttökapasiteetti (Cies) @ Vce : 1.45nF @ 25V
panos : Standard
NTC-termistori : Yes
Käyttölämpötila : -40°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Chassis Mount
Paketti / asia : Module
Toimittajalaitteen paketti : Module

Saatat myös olla kiinnostunut
  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • A2C25S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.