Infineon Technologies - FF200R33KF2CNOSA1

KEY Part #: K6533556

FF200R33KF2CNOSA1 Hinnoittelu (USD) [117kpl varastossa]

  • 1 pcs$393.53380

Osa numero:
FF200R33KF2CNOSA1
Valmistaja:
Infineon Technologies
Yksityiskohtainen kuvaus:
IGBT MODULE VCES 1200V 200A.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Tehonohjaimen moduulit, Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Tiristorit - DIAC, SIDAC, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Transistorit - erityistarkoitus and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF ...
Kilpailuetu:
We specialize in Infineon Technologies FF200R33KF2CNOSA1 electronic components. FF200R33KF2CNOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FF200R33KF2CNOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FF200R33KF2CNOSA1 Tuoteominaisuudet

Osa numero : FF200R33KF2CNOSA1
Valmistaja : Infineon Technologies
Kuvaus : IGBT MODULE VCES 1200V 200A
Sarja : -
Osan tila : Active
IGBT-tyyppi : -
kokoonpano : 2 Independent
Jännite - keräilijän jakajan jakauma (max) : 3300V
Nykyinen - keräilijä (Ic) (max) : 330A
Teho - Max : 2200W
Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic : 4.25V @ 15V, 200A
Nykyinen - Keräilijän katkaisu (max) : 5mA
Syöttökapasiteetti (Cies) @ Vce : 25nF @ 25V
panos : Standard
NTC-termistori : No
Käyttölämpötila : -40°C ~ 125°C
Asennustyyppi : Chassis Mount
Paketti / asia : Module
Toimittajalaitteen paketti : Module

Saatat myös olla kiinnostunut
  • VS-GT175DA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227.

  • VS-GP250SA60S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 380A 893W SOT-227.

  • VS-GT105NA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 105A HS CHOP SOT-227.

  • VS-GT105LA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 105A LS CHOP SOT-227.

  • VS-GT100NA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

  • VS-GT100LA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.