Vishay Semiconductor Diodes Division - MPG06B-E3/73

KEY Part #: K6438526

MPG06B-E3/73 Hinnoittelu (USD) [750572kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.04928
  • 9,000 pcs$0.02990

Osa numero:
MPG06B-E3/73
Valmistaja:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE GEN PURP 100V 1A MPG06. Rectifiers 100 Volt 1.0 Amp 40 Amp IFSM
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - JFET, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Transistorit - IGBT - moduulit, Diodit - Zener - Arrays, Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction and Diodit - RF ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division MPG06B-E3/73 electronic components. MPG06B-E3/73 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MPG06B-E3/73, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MPG06B-E3/73 Tuoteominaisuudet

Osa numero : MPG06B-E3/73
Valmistaja : Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus : DIODE GEN PURP 100V 1A MPG06
Sarja : -
Osan tila : Active
Diodin tyyppi : Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 100V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 1A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 1A
Nopeus : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : 600ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 5µA @ 100V
Kapasitanssi @ Vr, F : 10pF @ 4V, 1MHz
Asennustyyppi : Through Hole
Paketti / asia : MPG06, Axial
Toimittajalaitteen paketti : MPG06
Käyttölämpötila - liitos : -55°C ~ 150°C

Saatat myös olla kiinnostunut
  • BYT79B-600PJ

    WeEn Semiconductors

    DIODE GEN PURP 600V 15A D2PAK. Rectifiers BYT79B-600PJ/TO263/REEL 13\" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

  • 1N914B A0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching DO-35, 100V 0.15A Swtch Diode/Array

  • BAV21 A0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE GEN PURP 250V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching DO-35, -V 0.2A Swtch Diode/Array

  • BAV20 A0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching DO-35, -V 0.2A Swtch Diode/Array

  • C5D10170H

    Cree/Wolfspeed

    10A 1700V G5 ZREC SIC SCHOTTKY. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 1700V, 10A

  • SURA8260T3G

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 2A SMA. Rectifiers REC SMA 2A 600V ULTFST TR