Osa numero :
SIHU6N65E-GE3
Valmistaja :
Vishay Siliconix
Kuvaus :
MOSFET N-CH 650V 6A IPAK
tekniikka :
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
650V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
7A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
600 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
48nC @ 10V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
820pF @ 100V
Tehon hajautus (max) :
78W (Tc)
Käyttölämpötila :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi :
Through Hole
Toimittajalaitteen paketti :
IPAK (TO-251)
Paketti / asia :
TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB