Vishay Siliconix - SIHU6N65E-GE3

KEY Part #: K6419363

SIHU6N65E-GE3 Hinnoittelu (USD) [107279kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.78603
  • 10 pcs$0.70826
  • 100 pcs$0.56916
  • 500 pcs$0.44267
  • 1,000 pcs$0.34695

Osa numero:
SIHU6N65E-GE3
Valmistaja:
Vishay Siliconix
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 650V 6A IPAK.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Transistorit - erityistarkoitus, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Diodit - Zener - Single, Transistorit - IGBT - Arrays, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF and Diodit - sillan tasasuuntaajat ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Siliconix SIHU6N65E-GE3 electronic components. SIHU6N65E-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHU6N65E-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHU6N65E-GE3 Tuoteominaisuudet

Osa numero : SIHU6N65E-GE3
Valmistaja : Vishay Siliconix
Kuvaus : MOSFET N-CH 650V 6A IPAK
Sarja : -
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 650V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 7A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 600 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 48nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 820pF @ 100V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 78W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Through Hole
Toimittajalaitteen paketti : IPAK (TO-251)
Paketti / asia : TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB

Saatat myös olla kiinnostunut