BAS386-TR Hinnoittelu (USD) [1270843kpl varastossa]
- 1 pcs$0.02910
- 2,500 pcs$0.02741
- 5,000 pcs$0.02467
- 12,500 pcs$0.02193
- 25,000 pcs$0.02056
- 62,500 pcs$0.01827
- Osa numero:
- BAS386-TR
- Valmistaja:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Yksityiskohtainen kuvaus:
- DIODE SCHOTT 50V 200MA MICROMELF. Schottky Diodes & Rectifiers 60 Volt 200mA 500mA IFSM
- Valmistajan vakio läpimenoaika:
- Varastossa
- Kestoaika:
- Yksi vuosi
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Maksutapa:
-
- Lähetyksen tapa:
- Perheluokat:
- KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - Zener - Arrays, Tiristorit - SCR: t, Diodit - RF, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Transistorit - erityistarkoitus, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Tiristorit - TRIACit and Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays ...
- Kilpailuetu:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BAS386-TR electronic components. BAS386-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAS386-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAS386-TR Tuoteominaisuudet
Osa numero :
BAS386-TR
Valmistaja :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus :
DIODE SCHOTT 50V 200MA MICROMELF
Sarja :
-
Osan tila :
Active
Diodin tyyppi :
Schottky
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
50V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
200mA
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
900mV @ 100mA
Nopeus :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Käänteinen palautumisaika (trr) :
-
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
5µA @ 40V
Kapasitanssi @ Vr, F :
880pF @ 0V, 1MHz
Asennustyyppi :
Surface Mount
Paketti / asia :
2-SMD, No Lead
Toimittajalaitteen paketti :
MicroMELF
Käyttölämpötila - liitos :
125°C (Max)
Uusimmat uutiset
Saatat myös olla kiinnostunut
-
BAT43W-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 30Volt 200mA 4A IFSM
-
BAT54W-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 30Volt 200mA Single
-
BAS16D-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 75 Volt 0.25 Amp 2.0A IFSM @ 1uS
-
BAS16D-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 250mA 6ns 500mA IFSM
-
BAT43W-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 30Volt 200mA 4A IFSM
-
Kuumat osat
- MBR1645-10HE3/45
- D251K12BXPSA1
- JTXM19500/469-05
- UF1503S-B
- SB05-05C-M-TB-E
- LS412060
- FR204TA
- JANTX1N6661US
- RGP10K-M3/73
- GP10G-4004E-M3/73
- RU 3AM
- RF 1A
- SD24145
- JANTXV1N5802
- MBRB1050HE3/45
- HER604-TP
- SS1H10HE3/61T
- S5MHE3/57T
- ESH2PD-E3/84A
- SS8PH9HM3/87A
- SS2P3-E3/85A
- SS1H10HE3/5AT
- SS19-E3/5AT
- GP30KHE3/54
- GP20B-E3/54
- EGP20DHE3/73
- STPS1545R
- STTH3002G
- LSM345JE3
- ES2A-TP
- VS-HFA16TB120PBF
- VS-1N5819
- 241NQ045R
- 1N6630
- RL103-AP
- ER303-AP
- RO 2CV1
- RU 3AV1
- S10MC M6G
- ES3A M6G