RMPG06B-E3/53 Hinnoittelu (USD) [712652kpl varastossa]
- 1 pcs$0.05477
- 6,000 pcs$0.05450
- Osa numero:
- RMPG06B-E3/53
- Valmistaja:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Yksityiskohtainen kuvaus:
- DIODE GPP 1A 100V 150NS MPG06. Rectifiers 100 Volt 1.0A 150ns 40A IFSM Trim Leads
- Valmistajan vakio läpimenoaika:
- Varastossa
- Kestoaika:
- Yksi vuosi
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Maksutapa:
-
- Lähetyksen tapa:
- Perheluokat:
- KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Diodit - Zener - Arrays, Transistorit - IGBT - Arrays, Tehonohjaimen moduulit and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij ...
- Kilpailuetu:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division RMPG06B-E3/53 electronic components. RMPG06B-E3/53 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RMPG06B-E3/53, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RMPG06B-E3/53 Tuoteominaisuudet
Osa numero :
RMPG06B-E3/53
Valmistaja :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus :
DIODE GPP 1A 100V 150NS MPG06
Sarja :
Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
Osan tila :
Active
Diodin tyyppi :
Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
100V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
1A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
1.3V @ 1A
Nopeus :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) :
150ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
5µA @ 100V
Kapasitanssi @ Vr, F :
6.6pF @ 4V, 1MHz
Asennustyyppi :
Through Hole
Paketti / asia :
MPG06, Axial
Toimittajalaitteen paketti :
MPG06
Käyttölämpötila - liitos :
-55°C ~ 150°C
Uusimmat uutiset
Saatat myös olla kiinnostunut
-
BYT79B-600PJ
WeEn Semiconductors
DIODE GEN PURP 600V 15A D2PAK. Rectifiers BYT79B-600PJ/TO263/REEL 13\" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
-
1N914B A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching DO-35, 100V 0.15A Swtch Diode/Array
-
BAV21 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE GEN PURP 250V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching DO-35, -V 0.2A Swtch Diode/Array
-
BAV20 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching DO-35, -V 0.2A Swtch Diode/Array
-
C5D10170H
Cree/Wolfspeed
10A 1700V G5 ZREC SIC SCHOTTKY. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 1700V, 10A
-
DST1550S
Littelfuse Inc.
DIODE SCHOTTKY 15A 50V TO277B. Schottky Diodes & Rectifiers 15A 50V TO-277B
Kuumat osat
- BYV29B-600PJ
- RL104-N-2-3-AP
- 1N3172A
- CMSH2-40M BK
- VI30120SGHM3/4W
- JAN1N1614R
- 1N4946GP-M3/54
- UES2605R
- CD214B-F3150
- SB340S-E3/54
- DSR01S30SC(TPL3)
- RGP02-16EHE3/53
- ES3GHE3/57T
- UF8CT-E3/4W
- S1DA-E3/5AT
- 1N4446_T50R
- HFA08TB60STRR
- PR3005-T
- PR2006G-T
- STTH20R04W
- SIDC73D170E6X1SA2
- CD214A-B240LF
- 10WQ045FN
- MA2711100L
- MMBD914-7
- 10ETF02STRL
- IRKE91/04A
- 30EPF12
- 20ETF02
- BAT42W-7
- SM4933A-TP
- FR154S-TP
- FR604-AP
- GIB1403-E3/81
- SE40PGHM3_A/H
- RN 1ZV
- CDBB3150-G
- PMEG2010AET,215
- 1N4005GPE-E3/54
- BAS16WF