Vishay Siliconix - SQR50N04-3M8_GE3

KEY Part #: K6419461

SQR50N04-3M8_GE3 Hinnoittelu (USD) [113348kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.32632

Osa numero:
SQR50N04-3M8_GE3
Valmistaja:
Vishay Siliconix
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CHANNEL 40V 50A DPAK.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - IGBT - moduulit, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Diodit - RF, Transistorit - JFET, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Tiristorit - SCR-moduulit, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt and Tiristorit - TRIACit ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Siliconix SQR50N04-3M8_GE3 electronic components. SQR50N04-3M8_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQR50N04-3M8_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQR50N04-3M8_GE3 Tuoteominaisuudet

Osa numero : SQR50N04-3M8_GE3
Valmistaja : Vishay Siliconix
Kuvaus : MOSFET N-CHANNEL 40V 50A DPAK
Sarja : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 40V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 50A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 105nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 6700pF @ 25V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 136W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi : Through Hole
Toimittajalaitteen paketti : D-PAK (TO-252)
Paketti / asia : TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab)

Saatat myös olla kiinnostunut