Osa numero :
IPU13N03LA G
Valmistaja :
Infineon Technologies
Kuvaus :
MOSFET N-CH 25V 30A TO-251
tekniikka :
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
25V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
30A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12.8 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
8.3nC @ 5V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
1043pF @ 15V
Tehon hajautus (max) :
46W (Tc)
Käyttölämpötila :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi :
Through Hole
Toimittajalaitteen paketti :
P-TO251-3-1
Paketti / asia :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA