Infineon Technologies - IPB80N08S406ATMA1

KEY Part #: K6418703

IPB80N08S406ATMA1 Hinnoittelu (USD) [73743kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.53023
  • 1,000 pcs$0.48635

Osa numero:
IPB80N08S406ATMA1
Valmistaja:
Infineon Technologies
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Transistorit - JFET, Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Transistorit - IGBT - Arrays, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Tiristorit - DIAC, SIDAC and Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot ...
Kilpailuetu:
We specialize in Infineon Technologies IPB80N08S406ATMA1 electronic components. IPB80N08S406ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB80N08S406ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB80N08S406ATMA1 Tuoteominaisuudet

Osa numero : IPB80N08S406ATMA1
Valmistaja : Infineon Technologies
Kuvaus : MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
Sarja : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 80V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 80A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.5 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 90µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 70nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 4800pF @ 25V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 150W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti : PG-TO263-3-2
Paketti / asia : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB