Osa numero :
SI4816DY-T1-GE3
Valmistaja :
Vishay Siliconix
Kuvaus :
MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC
FET-tyyppi :
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-ominaisuus :
Logic Level Gate
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
30V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
5.3A, 7.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
22 mOhm @ 6.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
12nC @ 5V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Käyttölämpötila :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi :
Surface Mount
Paketti / asia :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Toimittajalaitteen paketti :
8-SO