Osa numero :
BSC026NE2LS5ATMA1
Valmistaja :
Infineon Technologies
Kuvaus :
MOSFET N-CH 25V 24A 8TDSON
tekniikka :
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
25V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
24A (Ta), 82A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.6 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
16nC @ 10V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
1100pF @ 12V
Tehon hajautus (max) :
2.5W (Ta), 29W (Tc)
Käyttölämpötila :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi :
Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti :
PG-TDSON-8
Paketti / asia :
8-PowerTDFN