Infineon Technologies - BSC026NE2LS5ATMA1

KEY Part #: K6409560

BSC026NE2LS5ATMA1 Hinnoittelu (USD) [181088kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.20425
  • 5,000 pcs$0.18742

Osa numero:
BSC026NE2LS5ATMA1
Valmistaja:
Infineon Technologies
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 25V 24A 8TDSON.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Tiristorit - DIAC, SIDAC, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Tiristorit - TRIACit, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Transistorit - JFET, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt and Diodit - Zener - Arrays ...
Kilpailuetu:
We specialize in Infineon Technologies BSC026NE2LS5ATMA1 electronic components. BSC026NE2LS5ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC026NE2LS5ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSC026NE2LS5ATMA1 Tuoteominaisuudet

Osa numero : BSC026NE2LS5ATMA1
Valmistaja : Infineon Technologies
Kuvaus : MOSFET N-CH 25V 24A 8TDSON
Sarja : OptiMOS™
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 25V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 24A (Ta), 82A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.6 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 16nC @ 10V
Vgs (Max) : ±16V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 1100pF @ 12V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 2.5W (Ta), 29W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti : PG-TDSON-8
Paketti / asia : 8-PowerTDFN

Saatat myös olla kiinnostunut
  • FCD620N60ZF

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-252-3.

  • RFD3055LESM9A

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA.

  • FCD850N80Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 6A DPAK.

  • FCD5N60TM-WS

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK.

  • FDD6N50TM-WS

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 500V 6A DPAK.

  • FDD10AN06A0

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK.