Osa numero :
EPC2105ENGRT
Kuvaus :
GANFET 2NCH 80V 9.5A DIE
FET-tyyppi :
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-ominaisuus :
GaNFET (Gallium Nitride)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
80V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
9.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
14.5 mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
2.5nC @ 5V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
300pF @ 40V
Käyttölämpötila :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi :
Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti :
Die