STMicroelectronics - STP100N10F7

KEY Part #: K6398975

STP100N10F7 Hinnoittelu (USD) [32472kpl varastossa]

  • 1 pcs$1.20311
  • 10 pcs$1.03020
  • 100 pcs$0.82784
  • 500 pcs$0.64387
  • 1,000 pcs$0.53350

Osa numero:
STP100N10F7
Valmistaja:
STMicroelectronics
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N CH 100V 80A TO-220.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - sillan tasasuuntaajat, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Diodit - RF, Tiristorit - TRIACit, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Tiristorit - SCR: t, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF ...
Kilpailuetu:
We specialize in STMicroelectronics STP100N10F7 electronic components. STP100N10F7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STP100N10F7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STP100N10F7 Tuoteominaisuudet

Osa numero : STP100N10F7
Valmistaja : STMicroelectronics
Kuvaus : MOSFET N CH 100V 80A TO-220
Sarja : DeepGATE™, STripFET™ VII
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 100V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 80A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 61nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 4369pF @ 50V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 150W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi : Through Hole
Toimittajalaitteen paketti : TO-220
Paketti / asia : TO-220-3

Saatat myös olla kiinnostunut
  • DN3545N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 450V 0.136A TO92-3.

  • VP2450N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 500V 0.1A TO92-3.

  • TP0620N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 200V 0.175A TO92-3.

  • TN0606N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3.

  • VN2450N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 0.2A TO92-3.

  • TK4R3A06PL,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR.