Osa numero :
TK17E65W,S1X
Valmistaja :
Toshiba Semiconductor and Storage
Kuvaus :
MOSFET N-CH 650V 17.3A TO-220AB
tekniikka :
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
650V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
17.3A (Ta)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
200 mOhm @ 8.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 900µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
45nC @ 10V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
1800pF @ 300V
Tehon hajautus (max) :
165W (Tc)
Käyttölämpötila :
150°C (TJ)
Asennustyyppi :
Through Hole
Toimittajalaitteen paketti :
TO-220
Paketti / asia :
TO-220-3