Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-MURB1520-1-M3

KEY Part #: K6443471

VS-MURB1520-1-M3 Hinnoittelu (USD) [88227kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.44319

Osa numero:
VS-MURB1520-1-M3
Valmistaja:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE GEN PURP 200V 15A TO262.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - Zener - Single, Tehonohjaimen moduulit, Tiristorit - DIAC, SIDAC, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Diodit - Zener - Arrays, Tiristorit - TRIACit and Transistorit - FETit, MOSFETit - RF ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-MURB1520-1-M3 electronic components. VS-MURB1520-1-M3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-MURB1520-1-M3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-MURB1520-1-M3 Tuoteominaisuudet

Osa numero : VS-MURB1520-1-M3
Valmistaja : Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus : DIODE GEN PURP 200V 15A TO262
Sarja : FRED Pt®
Osan tila : Active
Diodin tyyppi : Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 200V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 15A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 1.05V @ 15A
Nopeus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : 35ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 10µA @ 200V
Kapasitanssi @ Vr, F : -
Asennustyyppi : Through Hole
Paketti / asia : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Toimittajalaitteen paketti : TO-262AA
Käyttölämpötila - liitos : -65°C ~ 175°C

Saatat myös olla kiinnostunut
  • UD0506T-TL-HX

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 5A TPFA. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 5A 600V LOW VF

  • RD0504T-P-TL-H

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 400V 5A TPFA.

  • SCS212AJTLL

    Rohm Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers SiC, SBD 650V 12A DPAK

  • SCS210AJHRTLL

    Rohm Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 650V 10A SiC SBD AEC-Q101 Qualified

  • VS-8EWF02S-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 8A TO252AA. Diodes - General Purpose, Power, Switching New Input Diodes - D-PAK-e3

  • V30100SG-E3/4W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 30A TO220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 30 Amp 100 Volt Single TrenchMOS