Vishay Siliconix - SQJ479EP-T1_GE3

KEY Part #: K6420090

SQJ479EP-T1_GE3 Hinnoittelu (USD) [158976kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.23266
  • 3,000 pcs$0.19661

Osa numero:
SQJ479EP-T1_GE3
Valmistaja:
Vishay Siliconix
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET P-CH 80V 32A POWERPAKSO-8.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Transistorit - IGBT - moduulit, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Transistorit - JFET, Tehonohjaimen moduulit, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Diodit - Zener - Arrays and Diodit - sillan tasasuuntaajat ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Siliconix SQJ479EP-T1_GE3 electronic components. SQJ479EP-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQJ479EP-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQJ479EP-T1_GE3 Tuoteominaisuudet

Osa numero : SQJ479EP-T1_GE3
Valmistaja : Vishay Siliconix
Kuvaus : MOSFET P-CH 80V 32A POWERPAKSO-8
Sarja : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Osan tila : Active
FET-tyyppi : P-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 80V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 32A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 33 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 150nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 4500pF @ 25V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 68W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti : PowerPAK® SO-8
Paketti / asia : PowerPAK® SO-8

Saatat myös olla kiinnostunut