Vishay Siliconix - SI1401EDH-T1-GE3

KEY Part #: K6421457

SI1401EDH-T1-GE3 Hinnoittelu (USD) [575693kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.06425
  • 3,000 pcs$0.06069

Osa numero:
SI1401EDH-T1-GE3
Valmistaja:
Vishay Siliconix
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET P-CH 12V 4A SC-70-6.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Tiristorit - SCR: t, Transistorit - erityistarkoitus, Tiristorit - DIAC, SIDAC, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Transistorit - JFET, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen and Transistorit - IGBT - moduulit ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Siliconix SI1401EDH-T1-GE3 electronic components. SI1401EDH-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI1401EDH-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI1401EDH-T1-GE3 Tuoteominaisuudet

Osa numero : SI1401EDH-T1-GE3
Valmistaja : Vishay Siliconix
Kuvaus : MOSFET P-CH 12V 4A SC-70-6
Sarja : TrenchFET®
Osan tila : Active
FET-tyyppi : P-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 12V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 4A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 34 mOhm @ 5.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 36nC @ 8V
Vgs (Max) : ±10V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : -
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 1.6W (Ta), 2.8W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti : SC-70-6 (SOT-363)
Paketti / asia : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Saatat myös olla kiinnostunut