Vishay Siliconix - IRFD9010

KEY Part #: K6392851

IRFD9010 Hinnoittelu (USD) [66291kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.59278
  • 2,500 pcs$0.58983

Osa numero:
IRFD9010
Valmistaja:
Vishay Siliconix
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-DIP.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Diodit - Zener - Arrays, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Tiristorit - SCR: t and Transistorit - FETit, MOSFETit - Single ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Siliconix IRFD9010 electronic components. IRFD9010 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFD9010, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFD9010 Tuoteominaisuudet

Osa numero : IRFD9010
Valmistaja : Vishay Siliconix
Kuvaus : MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-DIP
Sarja : -
Osan tila : Active
FET-tyyppi : P-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 50V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 1.1A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 500 mOhm @ 580mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 11nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 240pF @ 25V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 1W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Through Hole
Toimittajalaitteen paketti : 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Paketti / asia : 4-DIP (0.300", 7.62mm)

Saatat myös olla kiinnostunut