Vishay Siliconix - SI5902BDC-T1-E3

KEY Part #: K6522074

SI5902BDC-T1-E3 Hinnoittelu (USD) [150065kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.24648
  • 3,000 pcs$0.23145

Osa numero:
SI5902BDC-T1-E3
Valmistaja:
Vishay Siliconix
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - Zener - Single, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Tehonohjaimen moduulit, Transistorit - IGBT - moduulit, Transistorit - erityistarkoitus and Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Siliconix SI5902BDC-T1-E3 electronic components. SI5902BDC-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI5902BDC-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI5902BDC-T1-E3 Tuoteominaisuudet

Osa numero : SI5902BDC-T1-E3
Valmistaja : Vishay Siliconix
Kuvaus : MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
Sarja : TrenchFET®
Osan tila : Active
FET-tyyppi : 2 N-Channel (Dual)
FET-ominaisuus : Logic Level Gate
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 30V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 65 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 7nC @ 10V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 220pF @ 15V
Teho - Max : 3.12W
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : 8-SMD, Flat Lead
Toimittajalaitteen paketti : 1206-8 ChipFET™