Infineon Technologies - BSZ076N06NS3GATMA1

KEY Part #: K6420287

BSZ076N06NS3GATMA1 Hinnoittelu (USD) [178410kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.20732
  • 5,000 pcs$0.18227

Osa numero:
BSZ076N06NS3GATMA1
Valmistaja:
Infineon Technologies
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - JFET, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Tehonohjaimen moduulit, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Transistorit - IGBT - moduulit, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt ...
Kilpailuetu:
We specialize in Infineon Technologies BSZ076N06NS3GATMA1 electronic components. BSZ076N06NS3GATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSZ076N06NS3GATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSZ076N06NS3GATMA1 Tuoteominaisuudet

Osa numero : BSZ076N06NS3GATMA1
Valmistaja : Infineon Technologies
Kuvaus : MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
Sarja : OptiMOS™
Osan tila : Not For New Designs
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 60V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 20A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 35µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 50nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 4000pF @ 30V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti : PG-TSDSON-8
Paketti / asia : 8-PowerVDFN

Saatat myös olla kiinnostunut